高性能GaN外延材料研究取得进展

　　近日，由中国科学院半导体研究所承担的知识创新工程重要方向项目——“高性能氮化镓(GaN)外延材料研究”通过了专家鉴定。以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料，是继半导体第一代硅材料和第二代砷化鎵材料之后，在近十年迅速发展起来的新型宽带隙半导体材料，是目前全球半导体研究的前沿热点和各国竞相占领的战略高技术制高点。2002年中国科学院瞄准国家重大战略需求和世界科技前沿，将“新型高頻大功率化合物半导体电子器件研究”作为中国科学院知识创新工程重要方向项目，半导体所材料中心氮化镓课题组承担了其第一课题“高性能GaN外延材料研究”。

　　鉴定专家认为：半导体所科研人员经过不断攻关在GaN基微电子材料研制方面取得重大进展，该项目发展了高阻GaN外延材料的MOCVD制备技术，用具有自主知识产权的非故意掺杂和生长参数控制新方法，研制出了高性能的高阻GaN外延材料，其室温电阻率＞1×109 Ω·cm，250°C时电阻率＞1×106 Ω·cm。具国内领先水平，达到国际先进水平。为GaN基高温、高频大功率高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料的研制打下了坚实基础。