其中历经选址技术

其中包括业内最小的1mm x 1.5mm尺寸器件，及1.6mm x 1.6mm尺寸 0V器件中导通电阻最低的器件

宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 2 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道 0V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的 0V芯片级MOSFET，是目前市场上尺寸最小的此类器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的 0V芯片级器件中具有最低的导通电阻。

Vishay的TrenchFET Gen III p沟道MOSFET使用了先进的加工工艺，在每平方英寸的硅片内装入了10亿个晶体管单元。这种最前沿的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，把目前业内最好的p沟道MOSFET所能达到的导通电阻降低了近一半。芯片级的MICRO FOOT技术不但能节省空间，实现更小、更薄的终端产品，而且能够在给定的外形内使用更大的硅片。

Si8497DB和Si8487DB可在智能手机、平板电脑、销售点(POS)设备和移动计算等手持设备中用于负载、电池和充电器的切换。在笔记本电脑的电池管理电路中，MOSFET的低导通电阻能够在负载开关上实现更低的电压降，从而减少欠压锁定问题的发生。在平板电脑、智能手机和销售点设备的充电器中，低导通电阻意味着可以使用更大的充电电流，使电池充电的速度更快。

对于设计者，Si8487DB和Si8497DB为他们提供了满足其特定应用需求的外形尺寸和导通电阻。对于小占用空间能够带来产品增值的场合，1.5mm x 1mm的Si8497DB同时具有0.59mm的最大高度，以及4.5V、2.5V和2.0V下5 mΩ、71mΩ和120mΩ的低导通电阻。对于低导通电阻是重要考虑因素的应用，Si8487DB能在10V、4.5V和2.5V下提供 1mΩ、 5mΩ和45mΩ的低导通电阻，0.6mm的最大高度，以及此类p沟道功率MOSFET中最低的导通电阻值。

器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。Si8487DB与Vishay的 0V Si8409DB保持引脚兼容。

新的Si8487DB和Si8497DB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。

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