丰田开发SiC功率半导体2020年用于量

　　丰田2014年5月20日宣布，该公司与电装和丰 央研究所合作开发出了由SiC（碳化硅）材料制成的功率半导体。计划在今后一年内开始利用配备开发品的试制车进行公路实验。丰田表示，“希望到2020年能使采用SiC功率半导体的汽车投入量产”。将来，计划使用这种半导体器件将混合动力车的燃效提高10％，并将动力控制单元（PCU）的体积降至原来的1/5。

　　丰田从201 年秋季开始，在以“普锐斯”为原型的试制车上配备采用SiC功率半导体的PCU开展实验。PCU通过DC-DC转换器将电池输出的200V直流电压升压至650V，再通过逆变器转化为交流电提供给马达。目前已确认可使燃效（JC08模式）提高5％以上。今后还将继续改进，争取将燃效提高10％。

　　丰田此次展示的SiC功率半导体是二极管和MOSFET（金属氧化物半导体电场效应晶体管）。二极管方面，展出了在4英寸基板上排列6mm见方器件的试制品，电流为200A。MOSFET方面，展出了在相同尺寸的基板上排列5mm见方器件的试制品。试制品为沟道型，耐压为1200V，电流为70A。

　　丰田打算在今后自己生产SiC功率半导体。201 年12月，丰田已在从事电子控制装置及半导体等研发和生产的广濑工厂内建成了专门开发SiC半导体的清洁车间。（：清水 直茂，《日经汽车技术》）