可同时提升N型及P型金氧半晶体管的效能

联华电子(UMC)宣布该公司已开发出特殊间隙壁工艺(Ultimate Spacer Process；USP)的应变硅技术，可同时提升N型及P型金氧半晶体管的效能。采用此特殊间隙壁工艺技术，可使N型金氧半晶体管的驱动电流提高15%，P型金氧半晶体管驱动电流提高7%，同时仍维持整体工艺的简易性。

UMC表示，该项技术在结合硅基材信道工程时，更能大幅提高P型金氧半晶体管驱动电流达 5%。此外，该特殊间隙壁工艺应变硅新技术也已在客户FPGA产品上验证其效果，在相同的产品良率与可靠性质量下，已可成功增进客户产品15%电路效能，因此也将可应用在65奈米及以下之先进工艺量产使用。睡眠瘫痪症是怎么产生的
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